SiCエピタキシャル成長プロセス開発エンジニア

求人内容

【担当技術】SiCエピタキシャル成長プロセス開発エンジニア

【担当業務】SiCエピタキシャル成長装置立ち上げ、プロセス条件出し、量産化

【担当職場】自社前工程国内拠点

※就業場所の変更の範囲、従事すべき業務の変更の範囲については、選考時に詳細をお伝えいたします。

資格

【 必須要件 】

• SiCエピタキシャル成長プロセス開発の従事経験が1年以上あること

• 英語：ビジネスレベル

• 日本語：ビジネスレベル

【 歓迎要件 】

• 4年制大学または大学院にて工学、化学、物理学等を修了していること

その他の情報

SiCパワーデバイスは、脱炭素社会の実現に向けて重要となる自動車のEV化や産業機器のインバータ化におけるキーデバイスの一つです。弊社は、車載/産業用パワーデバイス事業の拡大を計画しており、今回、SiCプロセス開発において中核となるSiCエピタキシャル成長プロセスのエキスパートを募集します。募集職種は、プロセスエンジニアとしてSiCエピタキシャル成長装置を用いたプロセス条件の確立や安定化、効率化を担うポジションです。また、将来、拡張していく組織において、技術開発のリーダー的役割を担っていただきます。

ルネサスは「人々の暮らしを楽（ラク）にする」技術で持続可能な将来を築いていく日本を代表する半導体企業です。自動運転やIoTなど多様な分野において、先進的な製品やソリューションを提供しています。当社の製品は、世界中の主要な電子機器メーカーに採用され、日々の暮らしに欠かせない身の回りのあらゆる電子機器に使用されています。 当社では世界25カ国の製造・開発・販売拠点において20,000人以上の従業員が働いています。グローバルチームとして、すべての従業員が、行動指針である「Renesas Culture」をもとに、互いに学習、協力、成長、目標に向けて前進しながら、日々さまざまな課題解決に取り組んでいます。 当社を取り巻く環境は近年の活発な大型M&Aを含めて、他に類を見ないほどダイナミックに動いています。今後もインフラやデータエコノミー関連の急成長市場でのシェア拡大や、産業/IoTや自動車分野でのプレゼンス強化を図ります。変化の激しい中、グローバルチームの一員として、私たちと一緒に持続可能な将来を築いていただける方をお待ちしています。

1. Department Engineering

2. Location Hitachinaka

Requisition ID

53044

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